≥▽≤ 四、光耦降额规范应力限制1、集电极电压VC: 在最坏的情况下，集电极电压VC 必须满足下表：2、集电极电流IC: 在最坏的情况下，集电极电流IC 必须满足下表：3、输入电流IF :日本进口MOS FET光耦继电器模块G3VM-21MT,采用了T型电路结构，当主电路断开，子电路闭合时，漏电流可以低至1pA以下，特别适合应用于半导体测试设备中。产品特性采用超小型SMD封装，外形
1、如只是想知道继电器的开/合状态，测负载两端的电压就行了，不必测电流。2、如继电器不是普通触电而是SSR,还需确认漏电流会不会使光耦误动作。两只二极管！见图！谢谢大侠，是这样光耦的输出端常见的失效模式主要为：反向漏电流过大、开路、短路，造成漏电流过大、开路、短路过大的主要原因是可动离子的玷污、内引线下垂和芯片裂纹有关，这些
o(?""?o 采用加流测压的方式测试集电极到发射极之间的电压差；检测高电平电源电流ICCH,以及低电平电源电流ICCL也需要采用加压测流法，这时我们将不同的额定电流激励在发光二极管输入端，输出电流能达到1A的电耦是有的，大电流输出的话只能是非线性的光耦，并且是开关量的。但如果强调必须是集电极电流Ic的话，则几乎没有。因为大电流输出的光耦内部的
开始以为光耦坏了，于是把电路中的光耦拿掉了，然并卵，气泵还是微弱的震动。又开始怀疑双向可控硅坏了(最后事实证明都没坏)。来看一个双向可控硅的特性，网上搜集M7也有漏电流的，只是比较小，光耦反向也有耐压的，还是用疏的办法比较好，你用堵的如果打雷什么的引入
7.放电电压低。8.低工作电流，开路时漏电流小。9.完成输入和输出之间的绝缘。10.可以控制各种负载。11.它可以控制各种负载(继电器，灯光，发光二极管，加热器，电动机，电磁吸管等)光耦比较敏感，所以仪器的一点零飘就影响测试结果
